DTC114YUAT106 دیتاشیت

DTC114YUAT106

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت DTC114YUAT106
حجم فایل 86.748 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت DTC114YUAT106-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Digital Transistors
  • Datasheet: ROHM Semicon DTC114YUAT106
  • Transistor Type: 1 NPN - Pre Biased
  • Collector Current (Ic): 70mA
  • Power Dissipation (Pd): 200mW
  • Transition Frequency (fT): 250MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 68@5mA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 500nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 50V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 300mV@250uA,5mA
  • Package: SOT-323(SC-70)
  • Manufacturer: ROHM Semicon

محصولات مشابه